我國的砷化鎵材料行業，雖然受到國家的高度重視，但由于投資強度不足且分散，研究基礎一直比較薄弱，發展速度緩慢。只是近幾年由于半導體照明產業的拉動作用，部分民營企業開始涉足這個行業，發展速度有所加快，但也僅限于LED用的低端砷化鎵材料，集成電路和功率器件用的大直徑半絕緣砷化鎵材料還是掌握在少數國際大公司手中，國內所用的4-6英寸半絕緣砷化鎵晶片仍然基本全部依賴進口。
目前，國內的半絕緣砷化鎵材料，在常規電學指標上與國外水平大體相當，但是材料的微區特性、晶片精密加工和超凈清洗封裝方面與國外差距很大。由于現在國內正處在從多研少產向批量生產過渡的階段，正在逐步解決材料的電學性能均勻性差、批次間重復性差等問題，缺乏材料和典型器件關系驗證。另外關鍵設備落后也是造成上述局面的原因之一。
我國砷化鎵材料發展趨勢將主要體現在以下幾個方面：
① 增大晶體直徑，目前發達國家6英寸的半絕緣砷化鎵產品已經商用化，國內4英寸產品還沒有實現商用，這方面差距還比較大；
② 減少單晶的缺陷密度，特別是位錯，提高材料的電學和光學微區均勻性；
③ 提高拋光片的表面質量，針對MOCVD和MBE外延需求，提供“開盒即用”（Epi-ready）產品；
④ 研發具有自主知識產權的新工藝，近年國內外VGF砷化鎵生長技術發展很快，已經成為砷化鎵材料主流技術，但核心技術仍掌握在少數國際大公司手中，應在VGF設備和工藝方面加大投入力度。
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